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一、基本原理
本設備根據國家標準GB4023-83《半導體器件整流二極管的測試方法》和GB4024-83《半導體器件反向阻斷三極晶閘管的測試方法》設計制造，符合JB/T7624-94和JB/T7626-94要求?？捎靡詼y量晶閘管V DM、V RM、I DM、I RM等參數。還可以測量普通整流二極管的V RM、I RM等參數。
為了在測試中不損壞元件，本儀器設有兩級過(guò)流自動(dòng)保護電路，提高了儀器的可靠性。峰值電壓和峰值電流均采用同步采樣，數字顯示。當需要觀(guān)察伏安特性曲線(xiàn)時(shí)，前面板備有專(zhuān)用外接示波器接線(xiàn)端子。
本儀器測試方法為正弦法：采用標準規定的底寬為10ms的正弦半波。
二、主要技術(shù)指標
１、 峰值電壓V DM、V RM: 0.10 KV—10.00 KV可調，實(shí)際使用0.40,KV—10.00 KV可調，采用4位數字電壓表，顯示分辨率10 V，精度3%。
２、 峰值電流I DM、I RM: 最大100.0 mA可調，顯示分辨率0.1 mA，精度3%,或±0.2mA。